Ами то тогава излиза, че няма чак такъв смисъл да се отива под 10 нм, докато не се постигне някакъв качествен скок! Защо го правят тогава? Само за понижаване на захранващото напрежение и оттам на разсейваната мощност ли?
Не, напротив много повече транзистори се постигат на единица площ при намаляване на размера и това важи почти до 1 нм. Много от последните постижения в тази област просто противоречат на теорията! Тепърва физиците ще обясняват новата технология.
---
Сега много се коментира за под 10 нм. при производството на чипове. Но доколко е наистина така? Да размерът на "пътечката" намалява, тост става по тънка 7 нм. 5, говорят даже за един нанометър.
Не само се коментира, но и масово се произвеждат чипове под 10 нм! Например при Интел 7 – 10 нм чипове не от вчера са в редовно производство. Тайван още миналата година усвои масовото производство на 2-3 нм чипове. По същото време и китайската Semiconductor Manufacturing International Corporation (SMIC) изненадващо започна производството на 7 нм чипове, независимо от ограниченията, наложени от САЩ на нидерландската АSML да продава екстремна ултравиолетова литография на Китай максимум до 14 нм. Твърди се, че китайците постигат 7 нм нод с технология TSMC N7 (дълбока ултравиолетова литография от преди 4-5 години) и Китай е похарчил доста пари, за да наеме бивши инженери на TSMC, за да клонира тяхната фабрика.
Краят настъпва вече при 2-1 нм чипове. Ограничението е преди всичко от литографските машини – колкото по-малък е размера на нода, толкова по-малка дължина на вълната на използваната светлина за фокусиране е необходима. При такъв размер се постига със светлина добивана по много сложна технология (миниатюрни живачни капки – плазма, която генерира светлина с много малка дължина на вълната, няма я на земята, има я само в космоса! Това се удава само на ASML комбина с немската Цайс оптика.
---
По мое скромно мнение истинският пробив се постига с фотонната технология - просто революционен скок и Китай залага именно на такъв асиметричен отговор на действията на САЩ.
